BC807-25QB-QZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
Qualification: AEC-Q100
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC807-25QB-QZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BC807-25QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 460mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807QB-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC807-25QB-QZ за ціною від 2.90 грн до 22.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC807-25QB-QZ | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC807-25QB-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807-25QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 460mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807QB-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC807-25QB-QZ | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC807-25QB-QZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS |
на замовлення 14800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC807-25QB-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807-25QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 460mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807QB-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BC807-25QB-QZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5301+ | 6.69 грн |
| 10000+ | 5.96 грн |
| BC807-25QB-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-25QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QB-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC807-25QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QB-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.46 грн |
| 500+ | 5.79 грн |
| 1000+ | 4.21 грн |
| BC807-25QB-QZ |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.53 грн |
| 34+ | 9.05 грн |
| 100+ | 5.62 грн |
| 500+ | 3.87 грн |
| 1000+ | 3.41 грн |
| 2000+ | 3.02 грн |
| BC807-25QB-QZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS
на замовлення 14800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 15.95 грн |
| 34+ | 9.61 грн |
| 100+ | 5.25 грн |
| 500+ | 3.87 грн |
| 1000+ | 3.04 грн |
| 5000+ | 2.97 грн |
| 10000+ | 2.90 грн |
| BC807-25QB-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-25QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QB-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC807-25QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QB-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 22.39 грн |
| 64+ | 12.73 грн |
| 100+ | 8.46 грн |
| 500+ | 5.79 грн |
| 1000+ | 4.21 грн |





