Продукція > NEXPERIA > BC807-25QB-QZ
BC807-25QB-QZ

BC807-25QB-QZ NEXPERIA


3388609.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-25QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QB-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.53 грн
1000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC807-25QB-QZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BC807-25QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807QB-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC807-25QB-QZ за ціною від 2.07 грн до 18.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC807-25QB-QZ BC807-25QB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC807QB-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25QB-QZ BC807-25QB-QZ Виробник : NEXPERIA 3388609.pdf Description: NEXPERIA - BC807-25QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QB-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+8.81 грн
141+5.88 грн
272+3.03 грн
500+2.53 грн
1000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25QB-QZ BC807-25QB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC807QB-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.67 грн
31+9.94 грн
100+5.11 грн
500+4.24 грн
1000+3.54 грн
2000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25QB-QZ BC807-25QB-QZ Виробник : Nexperia BC807QB-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC807-25QB-Q/SOT8015/DFN1110D-
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.75 грн
32+10.72 грн
100+4.55 грн
1000+3.52 грн
5000+2.94 грн
10000+2.72 грн
25000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25QB-QZ Виробник : Nexperia BC807QB-Q_SER.pdf BC807-25QB-QZ
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9585+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 9585
В кошику  од. на суму  грн.