BC807-25QB-QZ

BC807-25QB-QZ Nexperia USA Inc.


BC807QB-Q_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC807-25QB-QZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC807-25QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807QB-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BC807-25QB-QZ за ціною від 2.54 грн до 17.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC807-25QB-QZ BC807-25QB-QZ Виробник : NEXPERIA 3388609.pdf Description: NEXPERIA - BC807-25QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QB-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.10 грн
1000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25QB-QZ BC807-25QB-QZ Виробник : NEXPERIA 3388609.pdf Description: NEXPERIA - BC807-25QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QB-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+10.74 грн
116+7.22 грн
225+3.71 грн
500+3.10 грн
1000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25QB-QZ BC807-25QB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC807QB-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.06 грн
33+9.59 грн
100+5.20 грн
500+4.10 грн
1000+3.42 грн
2000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25QB-QZ BC807-25QB-QZ Виробник : Nexperia BC807QB-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
на замовлення 14800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.15 грн
35+9.82 грн
100+4.90 грн
500+4.31 грн
1000+3.41 грн
2500+3.04 грн
5000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25QB-QZ Виробник : Nexperia BC807QB-Q_SER.pdf BC807-25QB-QZ
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.