BC807-25QBH-QZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 3.40 грн |
| 10000+ | 2.95 грн |
| 15000+ | 2.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC807-25QBH-QZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BC807-25QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 160hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 550mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 550mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC807-25QBH-QZ за ціною від 2.35 грн до 21.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC807-25QBH-QZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 550mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 19984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC807-25QBH-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807-25QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 160hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 550mW euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC807-25QBH-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 24380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC807-25QBH-QZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC807-25QBH-Q/SOT8015/DFN1110D |
на замовлення 14984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC807-25QBH-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807-25QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC807-25QBH-QZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 550mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC807-25QBH-QZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 550mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
товару немає в наявності |