BC807-25WT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 297+ | 2.49 грн |
| 497+ | 1.48 грн |
| 651+ | 1.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC807-25WT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC807-25WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC807-25WT1G за ціною від 1.24 грн до 16.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC807-25WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC807-25WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 14002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC807-25WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 14002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC807-25WT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.46W Case: SC70; SOT323 Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 426 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC807-25WT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-25WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC807-25WT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 45V |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC807-25WT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-25WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
BC807-25WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
BC807-25WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
BC807-25WT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 460 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BC807-25WT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 460 mW |
товару немає в наявності |