Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > BC807-40LT1G
BC807-40LT1G

BC807-40LT1G

BC807-16LT1-D.PDF
Код товару: 63290
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC807-40LT1G

  • Bipolar Transistor
  • Transistor Type:RF Bipolar
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:45V
  • Transition Frequency Typ, ft:100MHz
  • Package/Case:SOT-23
  • Power Dissipation, Pd:0.3W
  • DC Current Gain Min (hfe):250

Інші пропозиції BC807-40LT1G за ціною від 0.63 грн до 11.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC807-40LT1G BC807-40LT1G onsemi BC807-16LT1-D.PDF description Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.30 грн
6000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G BC807-40LT1G ONSEMI BC807-xxL.pdf description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.03 грн
61+7.03 грн
92+4.61 грн
111+3.83 грн
200+3.22 грн
500+2.61 грн
1000+2.27 грн
1500+2.10 грн
3000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G BC807-40LT1G onsemi BC807-16LT1-D.PDF description Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 231442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.87 грн
44+6.93 грн
100+4.25 грн
500+2.89 грн
1000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G BC807-40LT1G onsemi BC807-16LT1-D.PDF description Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP
на замовлення 170924 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G BC807-40LT1G ONSEMI 2237009.pdf description Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 46422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G BC807-40LT1G ONSEMI 2237009.pdf description Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 46422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G ON Semiconductor BC807-16LT1-D.pdf description Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G BC807-16LT1-D.PDF description BC807-40LT1G Транзисторы
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G description BC807-16LT1-D.PDF
BC807-40LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.30 грн
6000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G description BC807-xxL.pdf
BC807-40LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.03 грн
61+7.03 грн
92+4.61 грн
111+3.83 грн
200+3.22 грн
500+2.61 грн
1000+2.27 грн
1500+2.10 грн
3000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G description BC807-16LT1-D.PDF
BC807-40LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 231442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.87 грн
44+6.93 грн
100+4.25 грн
500+2.89 грн
1000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G description BC807-16LT1-D.PDF
BC807-40LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP
на замовлення 170924 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G description 2237009.pdf
BC807-40LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 46422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G description 2237009.pdf
BC807-40LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 46422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G description BC807-16LT1-D.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G description BC807-16LT1-D.PDF
BC807-40LT1G Транзисторы
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.