
BC807-40QAZ Nexperia
на замовлення 12779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3546+ | 1.58 грн |
6000+ | 1.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC807-40QAZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC807-40QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 500 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: DFN1010D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC807-40QAZ за ціною від 1.78 грн до 19.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC807-40QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC807-40QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC807-40QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC807-40QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC807-40QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC807-40QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC807-40QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 28303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC807-40QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 14254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC807-40QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BC807-40QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BC807-40QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BC807-40QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: DFN1010D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BC807-40QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: DFN1010D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BC807-40QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; DFN1010D-3,SOT1215 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Case: DFN1010D-3; SOT1215 Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BC807-40QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; DFN1010D-3,SOT1215 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Case: DFN1010D-3; SOT1215 Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz |
товару немає в наявності |