Продукція > NEXPERIA > BC807-40QB-QZ
BC807-40QB-QZ

BC807-40QB-QZ NEXPERIA

3388609.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-40QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QB-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.07 грн
500+6.78 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC807-40QB-QZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BC807-40QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 460mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807QB-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC807-40QB-QZ за ціною від 3.00 грн до 27.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC807-40QB-QZ BC807-40QB-QZ Nexperia USA Inc. BC807QB-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
34+8.97 грн
100+5.58 грн
500+3.83 грн
1000+3.38 грн
2000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40QB-QZ BC807-40QB-QZ Nexperia BC807QB-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.52 грн
24+13.34 грн
100+7.52 грн
500+5.80 грн
1000+5.11 грн
2500+4.49 грн
5000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40QB-QZ BC807-40QB-QZ NEXPERIA 3388609.pdf Description: NEXPERIA - BC807-40QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QB-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.06 грн
55+14.90 грн
100+10.07 грн
500+6.78 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40QB-QZ BC807QB-Q_SER.pdf
BC807-40QB-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+15.53 грн
34+8.97 грн
100+5.58 грн
500+3.83 грн
1000+3.38 грн
2000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40QB-QZ BC807QB-Q_SER.pdf
BC807-40QB-QZ
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+23.52 грн
24+13.34 грн
100+7.52 грн
500+5.80 грн
1000+5.11 грн
2500+4.49 грн
5000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40QB-QZ 3388609.pdf
BC807-40QB-QZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-40QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QB-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+27.06 грн
55+14.90 грн
100+10.07 грн
500+6.78 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.