Продукція > NEXPERIA USA INC. > BC807-40QBH-QZ
BC807-40QBH-QZ

BC807-40QBH-QZ Nexperia USA Inc.

BC807QBH-Q_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 420 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+3.12 грн
10000+2.71 грн
15000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC807-40QBH-QZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC807-40QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 550mW, Verlustleistung: 550mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1110D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції BC807-40QBH-QZ за ціною від 3.39 грн до 36.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC807-40QBH-QZ BC807-40QBH-QZ NEXPERIA 3679914.pdf Description: NEXPERIA - BC807-40QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 550mW
Verlustleistung: 550mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.87 грн
500+8.02 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40QBH-QZ BC807-40QBH-QZ Nexperia USA Inc. BC807QBH-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 420 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.28 грн
30+10.14 грн
100+6.29 грн
500+4.33 грн
1000+3.82 грн
2000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40QBH-QZ BC807-40QBH-QZ Nexperia BC807QBH-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS
на замовлення 17972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
21+15.42 грн
100+8.17 грн
500+5.87 грн
1000+5.17 грн
2500+4.54 грн
5000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40QBH-QZ BC807-40QBH-QZ NEXPERIA 3679914.pdf Description: NEXPERIA - BC807-40QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 550mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.09 грн
39+21.10 грн
100+12.87 грн
500+8.02 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40QBH-QZ 3679914.pdf
BC807-40QBH-QZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-40QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 550mW
Verlustleistung: 550mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.87 грн
500+8.02 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40QBH-QZ BC807QBH-Q_SER.pdf
BC807-40QBH-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 420 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.28 грн
30+10.14 грн
100+6.29 грн
500+4.33 грн
1000+3.82 грн
2000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40QBH-QZ BC807QBH-Q_SER.pdf
BC807-40QBH-QZ
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS
на замовлення 17972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.29 грн
21+15.42 грн
100+8.17 грн
500+5.87 грн
1000+5.17 грн
2500+4.54 грн
5000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40QBH-QZ 3679914.pdf
BC807-40QBH-QZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-40QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 550mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+36.09 грн
39+21.10 грн
100+12.87 грн
500+8.02 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.