BC807-40QBZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.93 грн |
| 35+ | 8.85 грн |
| 100+ | 5.49 грн |
| 500+ | 3.77 грн |
| 1000+ | 3.32 грн |
| 2000+ | 2.94 грн |
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Технічний опис BC807-40QBZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BC807-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 460mW, Verlustleistung: 460mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1110D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807QB Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC807-40QBZ за ціною від 2.79 грн до 44.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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BC807-40QBZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS |
на замовлення 3078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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BC807-40QBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 460mW Verlustleistung: 460mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807QB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC807-40QBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 460mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807QB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BC807-40QBZ |
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Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 15.40 грн |
| 34+ | 9.48 грн |
| 100+ | 5.10 грн |
| 500+ | 3.70 грн |
| 1000+ | 2.93 грн |
| 5000+ | 2.86 грн |
| 10000+ | 2.79 грн |
| BC807-40QBZ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 460mW
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Produktpalette: BC807QB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: PNP
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DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Verlustleistung Pd: 460mW
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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на замовлення 4163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.48 грн |
| 500+ | 12.33 грн |
| 1000+ | 10.19 грн |
| BC807-40QBZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC807-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
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Produktpalette: BC807QB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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на замовлення 4163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 44.40 грн |
| 39+ | 21.10 грн |
| 100+ | 15.48 грн |
| 500+ | 12.33 грн |
| 1000+ | 10.19 грн |




