BC807-40QC-QZ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BC807-40QC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.01 грн |
| 1000+ | 6.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC807-40QC-QZ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-40QC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807QC-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC807-40QC-QZ за ціною від 4.83 грн до 22.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC807-40QC-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1412D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 380 mW Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BC807-40QC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807-40QC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807QC-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BC807-40QC-QZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .5A PNP GP TRANS |
на замовлення 12808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BC807-40QC-QZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 480mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 3680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| BC807-40QC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 480mW 3-Pin DFN-D T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
BC807-40QC-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 380 mW Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |