Технічний опис BC807RAZ Nexperia
Description: BC807RA/SOT1268/DFN1412-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1412-6, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Power - Max: 350mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: 2 PNP (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad.
Інші пропозиції BC807RAZ за ціною від 4.28 грн до 31.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC807RAZ | Nexperia |
 Bipolar Transistors - BJT SOT1268 45V .5A PNP GP TRANS |
на замовлення 5794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC807RAZ | Nexperia USA Inc. |
Description: BC807RA/SOT1268/DFN1412-6 Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1412-6 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BC807RAZ |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT1268 45V .5A PNP GP TRANS
Bipolar Transistors - BJT SOT1268 45V .5A PNP GP TRANS
на замовлення 5794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.97 грн |
| 22+ | 14.85 грн |
| 100+ | 8.22 грн |
| 500+ | 6.08 грн |
| 1000+ | 5.11 грн |
| 2500+ | 4.90 грн |
| 5000+ | 4.28 грн |
| BC807RAZ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BC807RA/SOT1268/DFN1412-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412-6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: BC807RA/SOT1268/DFN1412-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412-6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.07 грн |
| 14+ | 22.44 грн |