BC807RAZ Nexperia
на замовлення 27330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9804+ | 1.26 грн |
| 12397+ | 1.00 грн |
| 13044+ | 0.95 грн |
| 13889+ | 0.86 грн |
| 15000+ | 0.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC807RAZ Nexperia
Description: BC807RA/SOT1268/DFN1412-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: DFN1412-6, Part Status: Active.
Інші пропозиції BC807RAZ за ціною від 0.82 грн до 32.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC807RAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 500mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 27330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC807RAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 500mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 27330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC807RAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 500mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC807RAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 500mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 335000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC807RAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 500mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC807RAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 500mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 335000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC807RAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 500mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC807RAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 500mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC807RAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 500mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC807RAZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT1268 45V .5A PNP GP TRANS |
на замовлення 5794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC807RAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: BC807RA/SOT1268/DFN1412-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1412-6 Part Status: Active |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC807RAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 500mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BC807RAZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 500mW Automotive 6-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
BC807RAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: BC807RA/SOT1268/DFN1412-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1412-6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |


