Продукція > ONSEMI > BC808-25LT1G
BC808-25LT1G
  • BC808-25LT1G
  • BC808-25LT1G

BC808-25LT1G ONSEMI

bc808-25lt1-d.pdf Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC808-25LT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC808-25LT1G за ціною від 1.62 грн до 13.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC808-25LT1G
+1
 		BC808-25LT1G Виробник : ONSEMI bc808-25lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
24+12.99 грн
34+8.67 грн
50+5.85 грн
100+5.14 грн
500+3.74 грн
503+2.16 грн
1382+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G BC808-25LT1G Виробник : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
274+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 274
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G BC808-25LT1G Виробник : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G BC808-25LT1G Виробник : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 339000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.30 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G BC808-25LT1G Виробник : onsemi bc808-25lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.32 грн
6000+1.99 грн
9000+1.86 грн
15000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G BC808-25LT1G Виробник : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 64184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3741+3.25 грн
3917+3.11 грн
4099+2.97 грн
4311+2.72 грн
6000+2.39 грн
15000+2.18 грн
30000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3741
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G BC808-25LT1G Виробник : ONSEMI 2355025.pdf Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.39 грн
1500+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G BC808-25LT1G Виробник : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 64184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
109+5.53 грн
168+3.60 грн
184+3.29 грн
191+3.04 грн
250+2.70 грн
500+2.47 грн
1000+2.36 грн
3000+2.25 грн
6000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G BC808-25LT1G Виробник : onsemi bc808-25lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 22534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.05 грн
45+6.96 грн
100+4.27 грн
500+2.91 грн
1000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G BC808-25LT1G Виробник : ONSEMI 2355025.pdf Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+12.74 грн
106+7.87 грн
167+5.00 грн
500+3.39 грн
1500+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G BC808-25LT1G Виробник : onsemi BC808_25LT1_D-1802810.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V PNP
на замовлення 27060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.16 грн
43+8.02 грн
100+4.23 грн
500+3.19 грн
1000+2.75 грн
3000+2.23 грн
6000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G BC808-25LT1G Виробник : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G BC808-25LT1G Виробник : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G BC808-25LT1G Виробник : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.