Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC817-16LT1G
BC817-16LT1G

BC817-16LT1G ON Semiconductor

bc817-16lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC817-16LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC817-16LT1G за ціною від 1.00 грн до 10.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Виробник : onsemi bc817-16lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.80 грн
6000+1.54 грн
9000+1.44 грн
15000+1.25 грн
21000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Виробник : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5883+2.06 грн
6466+1.87 грн
9000+1.53 грн
24000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 5883
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Виробник : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.21 грн
6000+2.01 грн
9000+1.64 грн
24000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Виробник : ONSEMI bc817-16lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.27 грн
9000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Виробник : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Виробник : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4935+2.45 грн
6000+2.16 грн
9000+1.88 грн
27000+1.64 грн
51000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 4935
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Виробник : ONSEMI bc817-16lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 75907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.83 грн
1500+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999D2CEC632F8B820&compId=BC817-xxL.pdf?ci_sign=d6b2ff1b3012a91e598259fc6866cd90b20c585e Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225W
Collector current: 0.5A
Current gain: 100...250
на замовлення 3637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.63 грн
76+5.20 грн
125+3.17 грн
154+2.56 грн
500+1.70 грн
806+1.15 грн
2215+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Виробник : onsemi bc817-16lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 29997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.00 грн
58+5.43 грн
100+3.36 грн
500+2.28 грн
1000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G
Код товару: 143146
Додати до обраних Обраний товар

bc817-16lt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999D2CEC632F8B820&compId=BC817-xxL.pdf?ci_sign=d6b2ff1b3012a91e598259fc6866cd90b20c585e Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225W
Collector current: 0.5A
Current gain: 100...250
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3637 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.16 грн
46+6.48 грн
75+3.80 грн
100+3.07 грн
500+2.04 грн
806+1.38 грн
2215+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Виробник : onsemi BC817-16LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN
на замовлення 77409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.88 грн
58+6.09 грн
100+3.33 грн
500+2.34 грн
1000+2.04 грн
3000+1.66 грн
6000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Виробник : ONSEMI bc817-16lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 75907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+10.94 грн
117+7.26 грн
186+4.56 грн
500+2.83 грн
1500+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G Виробник : ON-Semicoductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 BC817-16LT3G; BC817-16LT1G; BC817-16LT1G TBC81716 ON
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G Виробник : ON SEMICONDUCTOR bc817-16lt1-d.pdf NPN , общего применения, 45 В, SOT23 Pb-Free
на замовлення 72 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
72+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G Виробник : On Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf NPN, Uкэ=45V, Iк=0.5A, h21=100...250, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G Виробник : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 45; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-23-3
на замовлення 61 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Виробник : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Виробник : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.