Інші пропозиції BC817-16LT1G за ціною від 1.30 грн до 20.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC817-16LT1G | ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 BC817-16LT3G; BC817-16LT1G; BC817-16LT1G TBC81716 ONкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | On Semiconductor |
NPN, Uкэ=45V, Iк=0.5A, h21=100...250, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори |
на замовлення 126 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 25891 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 47530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 47530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN |
на замовлення 3896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BC817-16LT1G | ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 100 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| BC817-16LT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 BC817-16LT3G; BC817-16LT1G; BC817-16LT1G TBC81716 ON
кількість в упаковці: 3000 шт
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 BC817-16LT3G; BC817-16LT1G; BC817-16LT1G TBC81716 ON
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.30 грн |
| BC817-16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.03 грн |
| 9000+ | 1.99 грн |
| BC817-16LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5577+ | 2.54 грн |
| 8334+ | 1.70 грн |
| 9000+ | 1.65 грн |
| 27000+ | 1.58 грн |
| 51000+ | 1.40 грн |
| BC817-16LT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
NPN, Uкэ=45V, Iк=0.5A, h21=100...250, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори
NPN, Uкэ=45V, Iк=0.5A, h21=100...250, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 126 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 8.44 грн |
| BC817-16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 25891 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 9.05 грн |
| 71+ | 5.97 грн |
| 106+ | 4.00 грн |
| 126+ | 3.35 грн |
| 200+ | 2.82 грн |
| 500+ | 2.28 грн |
| 1000+ | 1.98 грн |
| 1500+ | 1.82 грн |
| 3000+ | 1.63 грн |
| BC817-16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 47530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 80+ | 10.18 грн |
| 129+ | 6.34 грн |
| 204+ | 4.01 грн |
| 500+ | 2.50 грн |
| 1500+ | 2.00 грн |
| BC817-16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 47530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.18 грн |
| 129+ | 6.34 грн |
| 204+ | 4.01 грн |
| 500+ | 2.50 грн |
| 1500+ | 2.00 грн |
| BC817-16LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN
Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 20.28 грн |
| 39+ | 8.27 грн |
| 100+ | 3.84 грн |
| 500+ | 2.65 грн |
| 1000+ | 2.30 грн |
| 3000+ | 1.96 грн |
| BC817-16LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 100
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 100
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.52 грн |







