Інші пропозиції BC817-16LT1G за ціною від 1.26 грн до 20.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC817-16LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 BC817-16LT3G; BC817-16LT1G; BC817-16LT1G TBC81716 ONкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 28044 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 50795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 50795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN |
на замовлення 30994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BC817-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Одкількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | Виробник : On Semiconductor |
NPN, Uкэ=45V, Iк=0.5A, h21=100...250, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
BC817-16LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |






