Продукція > NEXPERIA USA INC. > BC817-16QBZ

BC817-16QBZ Nexperia USA Inc.

BC817QB_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.33 грн
24+ 11.61 грн
100+ 5.67 грн
500+ 4.44 грн
1000+ 3.08 грн
2000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 17
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC817-16QBZ Nexperia USA Inc.

Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 350 mW.

Інші пропозиції BC817-16QBZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC817-16QBZ BC817-16QBZ Виробник : Nexperia bc817qb_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D T/R
товар відсутній
BC817-16QBZ BC817-16QBZ Виробник : Nexperia bc817qb_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D T/R
товар відсутній
BC817-16QBZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC817QB_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
BC817-16QBZ BC817-16QBZ Виробник : Nexperia BC817QB_SER-2886021.pdf Bipolar Transistors - BJT BC817-16QB/SOT8015/DFN1110D-3
товар відсутній