
BC817-25LT1G ON Semiconductor
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC817-25LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC817-25LT1G за ціною від 0.86 грн до 11.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC817-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC817-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 732000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC817-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 732000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC817-25LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC817-25LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC817-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 44747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC817-25LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 44780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC817-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC817-25LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 12213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC817-25LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12213 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BC817-25LT1G Код товару: 208011
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
BC817-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC817-25LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 59907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC817-25LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 102999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC817-25LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 44780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BC817-25LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC817-25LT1G | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 7085 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC817-25LT1G | Виробник : On Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
BC817-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
BC817-25LT1G | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товару немає в наявності |