BC817-25QBZ

BC817-25QBZ NEXPERIA


3047928.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817-25QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.34 грн
1000+ 2.72 грн
5000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC817-25QBZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BC817-25QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 160hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC817QB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції BC817-25QBZ за ціною від 2.11 грн до 21.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC817-25QBZ BC817-25QBZ Виробник : NEXPERIA 3047928.pdf Description: NEXPERIA - BC817-25QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 160hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817QB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
47+16.18 грн
57+ 13.33 грн
106+ 7.13 грн
500+ 4.34 грн
1000+ 2.72 грн
5000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 47
BC817-25QBZ BC817-25QBZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC817QB_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.33 грн
25+ 11.41 грн
100+ 5.59 грн
500+ 4.38 грн
1000+ 3.04 грн
2000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 17
BC817-25QBZ BC817-25QBZ Виробник : Nexperia BC817QB_SER-2886021.pdf Bipolar Transistors - BJT BC817-25QB/SOT8015/DFN1110D-3
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.03 грн
18+ 17.12 грн
100+ 7.94 грн
500+ 5.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
BC817-25QBZ BC817-25QBZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC817QB_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній