на замовлення 18454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5871+ | 5.27 грн |
| 10000+ | 4.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC817-25QCZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC817-25QCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC817QC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції BC817-25QCZ за ціною від 4.24 грн до 25.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC817-25QCZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC817-25QCZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817-25QCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC817QC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC817-25QCZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817-25QCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC817QC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC817-25QCZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1412D-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 380 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC817-25QCZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC817-25QC/SOT8009/DFN1412D-3 |
на замовлення 18679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BC817-25QCZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin DFN-D T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
BC817-25QCZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1412D-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 380 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |



