BC817-40LT1G ON Semiconductor
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC817-40LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BC817-40LT1G за ціною від 0.87 грн до 20.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC817-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 84044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 6268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN |
на замовлення 58954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 40462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6268 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 84044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 45; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 250 @ 100 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3 |
на замовлення 720 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 240971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | Виробник : ON SEMICONDUCTOR | NPN, 500 мА, 45 В, 250 мВт, 100 МГц, hFE = 250…600, SOT-23 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | BC817-40LT1G Транзисторы Bipolar |
на замовлення 92 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | BC817-40LT1G Транзисторы Bipolar |
на замовлення 938 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BC817-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BC817-40LT1G Код товару: 161335 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|