Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BC817-40LT3G
BC817-40LT3G

BC817-40LT3G

BC817-16LT1-D.PDF
Код товару: 63287
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BC817-40LT3G за ціною від 1.54 грн до 8.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC817-40LT3G BC817-40LT3G ONSEMI BC817-xxL.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.95 грн
68+6.15 грн
97+4.29 грн
117+3.57 грн
500+2.34 грн
1000+2.01 грн
2000+1.78 грн
5000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G onsemi BC817-16LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN
на замовлення 138616 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G ONSEMI 2237010.pdf Description: ONSEMI - BC817-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G ONSEMI 2237010.pdf Description: ONSEMI - BC817-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-16LT1-D.PDF BC817-40LT3G Микросхемы
на замовлення 102 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-16LT1-D.PDF BC817-40LT3G Микросхемы
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-xxL.pdf
BC817-40LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+8.95 грн
68+6.15 грн
97+4.29 грн
117+3.57 грн
500+2.34 грн
1000+2.01 грн
2000+1.78 грн
5000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-16LT1-D.PDF
BC817-40LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN
на замовлення 138616 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G 2237010.pdf
BC817-40LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G 2237010.pdf
BC817-40LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-16LT1-D.PDF
BC817-40LT3G Микросхемы
на замовлення 102 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-16LT1-D.PDF
BC817-40LT3G Микросхемы
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.