BC817-40LT3G

BC817-40LT3G ON Semiconductor


466438752655484bc817-16lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC817-40LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC817-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC817-40LT3G за ціною від 1.08 грн до 10.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC817-40LT3G BC817-40LT3G Виробник : onsemi bc817-16lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.70 грн
20000+1.47 грн
30000+1.39 грн
50000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G Виробник : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.82 грн
30000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G Виробник : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.05 грн
20000+1.77 грн
30000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G Виробник : ONSEMI 2237010.pdf Description: ONSEMI - BC817-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G Виробник : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.13 грн
20000+1.83 грн
30000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G Виробник : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4644+2.63 грн
6697+1.83 грн
9804+1.25 грн
9934+1.19 грн
10136+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 4644
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G Виробник : ONSEMI 2237010.pdf Description: ONSEMI - BC817-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.77 грн
1000+2.33 грн
5000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G Виробник : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+6.70 грн
148+4.74 грн
149+4.70 грн
246+2.75 грн
250+2.52 грн
500+1.68 грн
1000+1.15 грн
3000+1.13 грн
6000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999D2CEC632F8B820&compId=BC817-xxL.pdf?ci_sign=d6b2ff1b3012a91e598259fc6866cd90b20c585e Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.47 грн
74+5.35 грн
86+4.61 грн
110+3.59 грн
500+2.13 грн
588+1.56 грн
1615+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999D2CEC632F8B820&compId=BC817-xxL.pdf?ci_sign=d6b2ff1b3012a91e598259fc6866cd90b20c585e Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.16 грн
45+6.66 грн
52+5.53 грн
100+4.31 грн
500+2.56 грн
588+1.88 грн
1615+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G Виробник : onsemi BC817_16LT1_D-1802499.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN
на замовлення 12264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.56 грн
51+6.86 грн
100+3.77 грн
500+2.57 грн
1000+2.11 грн
2500+1.96 грн
5000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G Виробник : onsemi bc817-16lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 69197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.61 грн
50+6.29 грн
100+3.84 грн
500+2.62 грн
1000+2.29 грн
2000+2.02 грн
5000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G Виробник : ONSEMI 2237010.pdf Description: ONSEMI - BC817-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+10.84 грн
109+7.77 грн
250+4.77 грн
1000+2.33 грн
5000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G bc817-16lt1-d.pdf BC817-40LT3G Микросхемы
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G
Код товару: 63287
Додати до обраних Обраний товар

bc817-16lt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G Виробник : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 45; Ic = 500 мА; ft, МГц = 100; hFE = 250 @ 100 мA, 1 В; Р, Вт = 0,3 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G bc817-16lt1-d.pdf BC817-40LT3G Микросхемы
на замовлення 102 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G Виробник : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G BC817-40LT3G Виробник : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT3G Виробник : Infineon Technologies bc817-16lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.