Продукція > NEXPERIA USA INC. > BC817-40QBZ
BC817-40QBZ

BC817-40QBZ Nexperia USA Inc.

BC817QB_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+14.93 грн
34+8.93 грн
100+5.54 грн
500+3.80 грн
1000+3.35 грн
2000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC817-40QBZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC817QB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC817-40QBZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC817-40QBZ BC817-40QBZ NEXPERIA 3047928.pdf Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817QB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40QBZ BC817-40QBZ NEXPERIA 3047928.pdf Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817QB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40QBZ BC817-40QBZ Nexperia USA Inc. BC817QB_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40QBZ BC817-40QBZ Nexperia BC817QB_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A NPN GP TRANS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40QBZ 3047928.pdf
BC817-40QBZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817QB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40QBZ 3047928.pdf
BC817-40QBZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817QB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40QBZ BC817QB_SER.pdf
BC817-40QBZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40QBZ BC817QB_SER.pdf
BC817-40QBZ
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A NPN GP TRANS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.