BC817-40QBZ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817QB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC817-40QBZ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC817QB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC817-40QBZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC817-40QBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC817QB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BC817-40QBZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BC817-40QBZ | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1110D-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
BC817-40QBZ | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1110D-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BC817-40QBZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A NPN GP TRANS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BC817-40QBZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817QB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817QB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC817-40QBZ |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC817-40QBZ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC817-40QBZ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC817-40QBZ |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A NPN GP TRANS
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A NPN GP TRANS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.