BC817-40QBZ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817QB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC817-40QBZ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC817QB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC817-40QBZ за ціною від 5.50 грн до 24.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC817-40QBZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A NPN GP TRANS |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC817-40QBZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC817-40QBZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC817QB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BC817-40QBZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin DFN-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
BC817-40QBZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
BC817-40QBZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
BC817-40QBZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |


