BC817-40QBZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 16.49 грн |
| 34+ | 9.86 грн |
| 100+ | 6.12 грн |
| 500+ | 4.20 грн |
| 1000+ | 3.70 грн |
| 2000+ | 3.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC817-40QBZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC817QB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC817-40QBZ за ціною від 7.86 грн до 36.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC817-40QBZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A NPN GP TRANS |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BC817-40QBZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC817QB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BC817-40QBZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC817QB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
BC817-40QBZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin DFN-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
BC817-40QBZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
BC817-40QBZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
BC817-40QBZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |