BC817-40QCH-QZ

BC817-40QCH-QZ Nexperia USA Inc.


BC817QCH-Q_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 455 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+3.41 грн
10000+2.96 грн
15000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC817-40QCH-QZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC817-40QCH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 575 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 575mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 575mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe BC817QCH-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC817-40QCH-QZ за ціною від 2.35 грн до 26.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC817-40QCH-QZ BC817-40QCH-QZ Виробник : NEXPERIA 3679917.pdf Description: NEXPERIA - BC817-40QCH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 575 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 575mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 575mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC817QCH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.95 грн
118+7.00 грн
500+5.05 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40QCH-QZ BC817-40QCH-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC817QCH-Q_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 455 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.05 грн
28+10.93 грн
100+6.83 грн
500+4.72 грн
1000+4.17 грн
2000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40QCH-QZ BC817-40QCH-QZ Виробник : Nexperia BC817QCH-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC817-40QCH-Q/SOT8009/DFN1412D
на замовлення 5931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.01 грн
26+13.08 грн
100+5.21 грн
1000+3.82 грн
5000+3.01 грн
10000+2.42 грн
25000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40QCH-QZ BC817-40QCH-QZ Виробник : NEXPERIA 3679917.pdf Description: NEXPERIA - BC817-40QCH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 575 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 575mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC817QCH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.18 грн
46+17.95 грн
118+7.00 грн
500+5.05 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40QCH-QZ BC817-40QCH-QZ Виробник : Nexperia bc817qch-q_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 575mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40QCH-QZ Виробник : NEXPERIA bc817qch-q_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 575mW Automotive 3-Pin DFN-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.