Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BC817-40WT1G ON
BC817-40WT1G

BC817-40WT1G ON

BC817-40WT1G.pdf
Код товару: 220786
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SOT-323
Гранична частота fT: 100 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 45 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 50 В
Струм колектора Ic, А: 0,5 А
Монтаж: SMD
у наявності: 2725 шт
  • 2725 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
15+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BC817-40WT1G за ціною від 2.54 грн до 10.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC817-40WT1G BC817-40WT1G ON Semiconductor bc817-40w-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+10.80 грн
101+7.46 грн
102+7.39 грн
142+5.12 грн
250+4.41 грн
500+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40WT1G BC817-40WT1G onsemi BC817-40W-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN
на замовлення 101904 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40WT1G BC817-40WT1G ONSEMI 2578322.pdf Description: ONSEMI - BC817-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40WT1G BC817-40WT1G ON Semiconductor bc817-40w-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40WT1G BC817-40WT1G ONSEMI 2578322.pdf Description: ONSEMI - BC817-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40WT1G BC817-40WT1G ON Semiconductor bc817-40w-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40WT1G bc817-40w-d.pdf
BC817-40WT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+10.80 грн
101+7.46 грн
102+7.39 грн
142+5.12 грн
250+4.41 грн
500+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40WT1G BC817-40W-D.PDF
BC817-40WT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN
на замовлення 101904 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40WT1G 2578322.pdf
BC817-40WT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40WT1G bc817-40w-d.pdf
BC817-40WT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40WT1G 2578322.pdf
BC817-40WT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40WT1G bc817-40w-d.pdf
BC817-40WT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.