Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > BC817DPN/DG/B2,115

BC817DPN/DG/B2,115 NXP Semiconductors


BC817DPN.pdf Виробник: NXP Semiconductors
BC817DPN/DG/B2,115
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8153+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 8153
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC817DPN/DG/B2,115 NXP Semiconductors

Description: TRANS NPN/PNP 45V 500MA 6-TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 600mW, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, 80MHz, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BC817DPN/DG/B2,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC817DPN/DG/B2,115 BC817DPN/DG/B2,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BC817DPN.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 500MA 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 600mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz, 80MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.