Інші пропозиції BC817DPN,115 за ціною від 5.89 грн до 25.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC817DPN,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 600mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC817DPN,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 600mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 98000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC817DPN,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 600mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC817DPN,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 600mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC817DPN,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 500MA 6-TSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 600mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz, 80MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
на замовлення 1584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC817DPN,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC817DPN/SOT457/SC-74 |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BC817DPN,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 500 mA, 500 mA, 600 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 600mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 600mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BC817DPN,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 500 mA, 500 mA, 600 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 600mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 600mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC817DPN,115 | NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 0,6, Тип стр. = 1 NPN + 1 PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150, F2 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| BC817DPN,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 600mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 600mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2844+ | 12.35 грн |
| 10000+ | 11.01 грн |
| BC817DPN,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 600mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 600mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2844+ | 12.35 грн |
| 10000+ | 11.01 грн |
| BC817DPN,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 600mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 600mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 19.42 грн |
| 100+ | 12.61 грн |
| 500+ | 9.33 грн |
| 1000+ | 8.05 грн |
| BC817DPN,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 600mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 600mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 724+ | 19.42 грн |
| 1115+ | 12.61 грн |
| 1507+ | 9.33 грн |
| 1684+ | 8.05 грн |
| BC817DPN,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 45V 500MA 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 600mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz, 80MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Description: TRANS NPN/PNP 45V 500MA 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 600mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz, 80MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.40 грн |
| 20+ | 15.20 грн |
| 100+ | 9.55 грн |
| 500+ | 6.65 грн |
| 1000+ | 5.91 грн |
| BC817DPN,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC817DPN/SOT457/SC-74
Bipolar Transistors - BJT BC817DPN/SOT457/SC-74
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC817DPN,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 500 mA, 500 mA, 600 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 600mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 600mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
Description: NEXPERIA - BC817DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 500 mA, 500 mA, 600 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 600mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 600mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC817DPN,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 500 mA, 500 mA, 600 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 600mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 600mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
Description: NEXPERIA - BC817DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 500 mA, 500 mA, 600 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 600mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 600mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC817DPN,115 |
![]() |
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 0,6, Тип стр. = 1 NPN + 1 PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150, F2
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 0,6, Тип стр. = 1 NPN + 1 PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150, F2
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.89 грн |






