на замовлення 29517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4425+ | 2.64 грн |
| 4793+ | 2.44 грн |
| 5227+ | 2.24 грн |
| 5726+ | 1.97 грн |
| 6356+ | 1.64 грн |
| 7143+ | 1.4 грн |
| 15000+ | 1.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC817RAZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC817RAZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1412, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 500mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BC817RAZ за ціною від 1.3 грн до 29.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC817RAZ | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 500mW 6-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 29517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC817RAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: BC817RA/SOT1268/DFN1412-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC817RAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817RAZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1412 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC817RAZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC817RA/SOT1268/DFN1412-6 |
на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC817RAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: BC817RA/SOT1268/DFN1412-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 7906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC817RAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817RAZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1412 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC817RAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 500mW 6-Pin DFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| BC817RAZ | Виробник : NEXPERIA |
BC817RAZ NPN SMD transistors |
товар відсутній |