BC818-40LT1G ON Semiconductor
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
39000+ | 1.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC818-40LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції BC818-40LT1G за ціною від 0.97 грн до 13.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC818-40LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC818-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 141456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC818-40LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 14236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC818-40LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V NPN |
на замовлення 54929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC818-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 141456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC818-40LT1G | Виробник : ONS | Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=25V; Ic=0,5A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe min=250 |
на замовлення 14960 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC818-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.5A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 20 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BC818-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.5A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товар відсутній |