BC818-40LT1G ON Semiconductor
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39000+ | 1.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC818-40LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC818-40LT1G за ціною від 0.94 грн до 10.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC818-40LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 966000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC818-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 131102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC818-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 131102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC818-40LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V NPN |
на замовлення 42298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC818-40LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 969785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
BC818-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товару немає в наявності |