BC818-40LT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9091+ | 1.56 грн |
| 9434+ | 1.50 грн |
| 27000+ | 1.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC818-40LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC818-40LT1G за ціною від 1.04 грн до 12.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC818-40LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC818-40LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC818-40LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 41530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC818-40LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 57399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC818-40LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V NPN |
на замовлення 41325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC818-40LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 124616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC818-40LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 124616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC818-40LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 41530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BC818-40LT1G | ONN |
|
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BC818-40LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.93 грн |
| 6000+ | 1.65 грн |
| 9000+ | 1.55 грн |
| 15000+ | 1.34 грн |
| 21000+ | 1.27 грн |
| 30000+ | 1.21 грн |
| BC818-40LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 351+ | 2.15 грн |
| 580+ | 1.30 грн |
| 728+ | 1.04 грн |
| BC818-40LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3062+ | 4.62 грн |
| 4226+ | 3.35 грн |
| 4855+ | 2.91 грн |
| 7010+ | 1.95 грн |
| 7390+ | 1.71 грн |
| 15000+ | 1.26 грн |
| 30000+ | 1.24 грн |
| BC818-40LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 57399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 10.07 грн |
| 52+ | 5.82 грн |
| 100+ | 3.57 грн |
| 500+ | 2.43 грн |
| 1000+ | 2.13 грн |
| BC818-40LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V NPN
Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V NPN
на замовлення 41325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 10.37 грн |
| 52+ | 6.10 грн |
| 100+ | 3.31 грн |
| 500+ | 2.41 грн |
| 1000+ | 2.14 грн |
| 3000+ | 1.58 грн |
| 6000+ | 1.52 грн |
| BC818-40LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 124616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 77+ | 10.45 грн |
| 128+ | 6.28 грн |
| 206+ | 3.91 грн |
| 500+ | 2.45 грн |
| 1500+ | 1.98 грн |
| BC818-40LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 124616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.45 грн |
| 128+ | 6.28 грн |
| 206+ | 3.91 грн |
| 500+ | 2.45 грн |
| 1500+ | 1.98 грн |
| BC818-40LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 12.82 грн |
| 99+ | 7.67 грн |
| 100+ | 7.59 грн |
| 162+ | 4.51 грн |
| 250+ | 4.13 грн |
| 500+ | 2.87 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |
| 3000+ | 1.73 грн |
| 6000+ | 1.64 грн |
| BC818-40LT1G |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)






