BC846ALT1G (транзистор біполярный NPN)
товар відсутній
Технічний опис BC846ALT1G (транзистор біполярный NPN)
Інші пропозиції BC846ALT1G (транзистор біполярный NPN) за ціною від 0.65 грн до 11.49 грн
BC846ALT1G |
Виробник: ON Semiconductor Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 65; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 110 @ 2 мA, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3 ![]() |
на замовлення 2970 шт ![]() термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846ALT1G |
Виробник: ON SEMICONDUCTOR NPN 100 мА 65 В SOT-23 Pb-Free ![]() |
на замовлення 49 шт ![]() термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846ALT1G |
Виробник: ONSEMI Material: BC846ALT1G NPN SMD transistors ![]() |
на замовлення 2084 шт ![]() термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846ALT1G |
Виробник: onsemi Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN ![]() |
на замовлення 371 шт ![]() термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846ALT1G |
Виробник: ONSEMI Material: BC846ALT1G NPN SMD transistors ![]() |
на замовлення 2084 шт ![]() термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846ALT1G |
Виробник: ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R ![]() |
на замовлення 60000 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846ALT1G |
Виробник: ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R ![]() |
на замовлення 4073 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846ALT1G |
Виробник: ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R ![]() |
на замовлення 4073 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846ALT1G |
Виробник: onsemi Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW ![]() |
на замовлення 364 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846ALT1G |
Виробник: ONSEMI Description: ONSEMI - BC846ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 MSL: - Verlustleistung Pd: 300 Übergangsfrequenz ft: 100 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BCxxx Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) ![]() |
на замовлення 161128 шт ![]() термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846ALT1G |
Виробник: ON-Semicoductor Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 BC846ALT3G BC846ALT1G TBC846al ONS кількість в упаковці: 500 шт ![]() |
на замовлення 1800 шт ![]() термін постачання 28-31 дні (днів) |
|