Інші пропозиції BC846ALT1G (транзистор біполярный NPN) за ціною від 1.13 грн до 10.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC846ALT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 BC846ALT3G BC846ALT1G TBC846al ONSкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846ALT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 BC846ALT3G BC846ALT1G TBC846al ONS кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 110...220 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 680 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 14092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846ALT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN |
на замовлення 73083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC846ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 78220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC846ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 78220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC846ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BC846ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. ви кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3935 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC846ALT1G | Виробник : ON SEMICONDUCTOR |
NPN 100 мА 65 В SOT-23 Pb-Free |
на замовлення 49 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC846ALT1G | Виробник : On Semiconductor |
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |