Технічний опис BC846AS-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BC846AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 200 mW, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 110hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC846AS-7 за ціною від 3.88 грн до 28.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC846AS-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC846AS-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC846AS-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC846AS-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC846AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 200 mW tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 110hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC846AS-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Current gain: 110...220 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Quantity in set/package: 3000pcs. |
на замовлення 1696 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC846AS-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC846AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 200 mW tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 110hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC846AS-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 134234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC846AS-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|