
BC846BDW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
30000+ | 1.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC846BDW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC846BDW1T1G за ціною від 1.29 грн до 15.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1035000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 71975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2322000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 777000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1734000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 345000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 777000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1035000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1428000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 68008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 56750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 56750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 53248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 68008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 120617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BC846BDW1T1G Код товару: 149074
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||||
BC846BDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|