BC846BHZGT116 Rohm Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2565+ | 4.76 грн |
| 2646+ | 4.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC846BHZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 120mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 120mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC846BHZGT116 за ціною від 3.09 грн до 25.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC846BHZGT116 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 120mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 120mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW Automotive 3-Pin SST T/R |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 65V 0.12A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846BHZGT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin |
на замовлення 4946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 120mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW Automotive 3-Pin SST T/R |
на замовлення 1028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC846BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW Automotive 3-Pin SST T/R |
на замовлення 1883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC846BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 65V 0.12A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |