BC846BHZGT116 Rohm Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2137+ | 5.94 грн |
| 2500+ | 5.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC846BHZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Dauerkollektorstrom: 120mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 120mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC846BHZGT116 за ціною від 6.07 грн до 27.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC846BHZGT116 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 120mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 120mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BC846BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 65V 0.12A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BC846BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BC846BHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 120mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BC846BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
BC846BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
BC846BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
BC846BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 65V 0.12A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
BC846BHZGT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 BJT NPN 65V 120MA |
товару немає в наявності |