Продукція > DIODES INCORPORATED > BC846BLP4-7B

BC846BLP4-7B Diodes Incorporated

Name: BC846BLP4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 3193405-3
Price: 330.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 65V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 410 mW

на замовлення 9745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	16.50 грн
31+	9.83 грн
100+	6.10 грн
500+	4.21 грн
1000+	3.71 грн
2000+	3.29 грн
5000+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BC846BLP4-7B Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 65V 0.1A X2-DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 410 mW.

Інші пропозиції BC846BLP4-7B

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
BC846BLP4-7B	Виробник : Diodes Zetex	Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
BC846BLP4-7B	Виробник : Diodes Incorporated	Description: TRANS NPN 65V 0.1A X2-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 410 mW	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
BC846BLP4-7B	Виробник : Diodes Incorporated	Bipolar Transistors - BJT 65V NPN Small Sig 80V 65V 100mA	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.