на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 1.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC846BLP4-7B Diodes Inc
Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 460mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC846, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC846BLP4-7B за ціною від 1.89 грн до 22.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 690000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 680000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 710000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 670000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 610000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 350000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 680000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 710000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 680000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 480000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 640000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 680000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 640000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 410 mW |
на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 460mW euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 410 mW |
на замовлення 123280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 65V NPN Small Sig 80V 65V 100mA |
на замовлення 150552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
товар відсутній |