на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC846BLP4-7B Diodes Inc
Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 460mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC846, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC846BLP4-7B за ціною від 1.89 грн до 24.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 690000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A X2-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 410 mW |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846BLP4-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 460mW euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 14951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A X2-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 410 mW |
на замовлення 45760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BLP4-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 14951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 65V NPN Small Sig 80V 65V 100mA |
на замовлення 112983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC846BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
BC846BLP4-7B NPN SMD transistors |
товару немає в наявності |