BC846BM,315 Nexperia
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.43 грн |
| 20000+ | 1.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC846BM,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC846BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BC846BM,315 за ціною від 1.21 грн до 14.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC846BM,315 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846BM,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846BM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BM,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 24005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846BM,315 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistor |
на замовлення 20731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC846BM,315 | Виробник : Nexperia |
Транз. Бипол. ММ NPN XFDFN-3 Uce=65V, Ic=0.1A, P=250mW, B=200-290@I=2mA, f>100MHz AEC-Q101 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
BC846BM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |