Технічний опис BC846BMB,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC846BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: DFN1006B, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC846BMB,315 за ціною від 2.21 грн до 13.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC846BMB,315 | Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC846BMB,315 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3 Supplier Device Package: DFN1006B-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC846BMB,315 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC846BMB,315 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC846BMB,315 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC846BMB,315 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC846BMB,315 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC846BMB,315 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC846BMB,315 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC846BMB,315 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC846BMB,315 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3 Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1006B-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 16268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC846BMB,315 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC846BMB/SOT883B/XQFN3 |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
BC846BMB,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006B Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BC846BMB,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006B Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC846BMB,315 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 2.21 грн |
| BC846BMB,315 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 2.33 грн |
| BC846BMB,315 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 2.93 грн |
| 20000+ | 2.70 грн |
| 50000+ | 2.41 грн |
| BC846BMB,315 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 3.18 грн |
| 20000+ | 2.98 грн |
| 50000+ | 2.87 грн |
| BC846BMB,315 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 3.88 грн |
| 20000+ | 3.52 грн |
| BC846BMB,315 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.16 грн |
| BC846BMB,315 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.51 грн |
| BC846BMB,315 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.55 грн |
| BC846BMB,315 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.71 грн |
| BC846BMB,315 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 5.91 грн |
| BC846BMB,315 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 16268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.98 грн |
| 37+ | 8.30 грн |
| 100+ | 5.12 грн |
| 500+ | 3.51 грн |
| 1000+ | 3.09 грн |
| 2000+ | 2.73 грн |
| 5000+ | 2.31 грн |
| BC846BMB,315 |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC846BMB/SOT883B/XQFN3
Bipolar Transistors - BJT BC846BMB/SOT883B/XQFN3
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC846BMB,315 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC846BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC846BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC846BMB,315 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC846BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC846BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)