
BC846BPDW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 438000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC846BPDW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC846BPDW1T1G за ціною від 1.30 грн до 16.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 273000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 378000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 65V Current gain: 200...475 Collector current: 0.1A Kind of transistor: complementary pair |
на замовлення 4609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 379492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 159995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BPDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 65V Current gain: 200...475 Collector current: 0.1A Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4609 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BC846BPDW1T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|