Продукція > NEXPERIA USA INC. > BC846BQB-QZ
BC846BQB-QZ

BC846BQB-QZ Nexperia USA Inc.

BC846XQB-Q_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.12 грн
34+9.27 грн
100+5.74 грн
500+3.94 грн
1000+3.46 грн
2000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC846BQB-QZ Nexperia USA Inc.

Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 340 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BC846BQB-QZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC846BQB-QZ BC846BQB-QZ Виробник : Nexperia bc846xqb-q_ser.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BQB-QZ BC846BQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC846XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BQB-QZ BC846BQB-QZ Виробник : Nexperia BC846XQB_Q_SER-2721678.pdf Bipolar Transistors - BJT BC846BQB-Q/SOT8015/DFN1110D-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.