Продукція > NEXPERIA USA INC. > BC846BQBZ
BC846BQBZ

BC846BQBZ Nexperia USA Inc.

BC846XQB_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.88 грн
34+9.17 грн
100+5.71 грн
500+3.91 грн
1000+3.44 грн
2000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC846BQBZ Nexperia USA Inc.

Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 340 mW.

Інші пропозиції BC846BQBZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC846BQBZ BC846BQBZ Виробник : Nexperia bc846xqb_ser.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BQBZ BC846BQBZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC846XQB_SER.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BQBZ BC846BQBZ Виробник : Nexperia BC846XQB_SER-2721669.pdf Bipolar Transistors - BJT BC846BQB/SOT8015/DFN1110D-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.