Продукція > NEXPERIA USA INC. > BC846BQBZ

BC846BQBZ Nexperia USA Inc.

Name: BC846BQBZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 13574231-3
Price: 341.43 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW

на замовлення 4660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
19+	17.97 грн
30+	10.62 грн
50+	7.61 грн
100+	6.18 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BC846BQBZ Nexperia USA Inc.

Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 340 mW.

Інші пропозиції BC846BQBZ

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
BC846BQBZ	Виробник : Nexperia	Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BC846BQBZ	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 340 mW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BC846BQBZ	Виробник : Nexperia	Bipolar Transistors - BJT 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.