BC846BT116 Rohm Semiconductor


datasheet?p=BC846B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 65V 0.12A SST3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC846BT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 120mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC846BT116 за ціною від 3.96 грн до 27.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC846BT116 BC846BT116 Rohm Semiconductor bc846bt116-e.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3425+4.17 грн
3522+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 BC846BT116 Rohm Semiconductor bc846bt116-e.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
864+16.53 грн
1373+10.40 грн
1864+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 864 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 BC846BT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BC846B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 65V 0.12A SST3
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.10 грн
25+11.91 грн
100+7.41 грн
500+5.12 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 BC846BT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BC846B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT23 65V
на замовлення 6272 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
14+22.06 грн
23+13.23 грн
100+7.18 грн
500+6.16 грн
1000+5.42 грн
3000+4.76 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 BC846BT116 Rohm Semiconductor bc846bt116-e.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1429+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 1429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 BC846BT116 Rohm Semiconductor bc846bt116-e.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.51 грн
47+16.53 грн
100+10.40 грн
500+7.38 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 BC846BT116 Rohm Semiconductor bc846bt116-e.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
770+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 BC846BT116 ROHM bc846bt116-e.pdf Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 BC846BT116 Rohm Semiconductor bc846bt116-e.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 BC846BT116 ROHM bc846bt116-e.pdf Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 bc846bt116-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3425+4.17 грн
3522+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 bc846bt116-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
864+16.53 грн
1373+10.40 грн
1864+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 864 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 datasheet?p=BC846B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 65V 0.12A SST3
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.10 грн
25+11.91 грн
100+7.41 грн
500+5.12 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 datasheet?p=BC846B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT23 65V
на замовлення 6272 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.06 грн
23+13.23 грн
100+7.18 грн
500+6.16 грн
1000+5.42 грн
3000+4.76 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 bc846bt116-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1429+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 1429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 bc846bt116-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+27.51 грн
47+16.53 грн
100+10.40 грн
500+7.38 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 bc846bt116-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
770+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 bc846bt116-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 bc846bt116-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BT116 bc846bt116-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.