BC846BT116 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3425+ | 4.13 грн |
| 3522+ | 4.02 грн |
| 5000+ | 3.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC846BT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 120mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC846BT116 за ціною від 3.92 грн до 26.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC846BT116 | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R |
на замовлення 1882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BC846BT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R |
на замовлення 1882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BC846BT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R |
на замовлення 1882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BC846BT116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT23 65V |
на замовлення 6272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
BC846BT116 | ROHM |
Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 120mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
BC846BT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 212 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
BC846BT116 | ROHM |
Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 120mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
BC846BT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 770 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC846BT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 17.22 грн |
| 100+ | 10.73 грн |
| 500+ | 7.90 грн |
| 1000+ | 3.92 грн |
| BC846BT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 822+ | 17.22 грн |
| 1319+ | 10.73 грн |
| 1790+ | 7.90 грн |
| BC846BT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1429+ | 26.31 грн |
| BC846BT116 |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT23 65V
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT23 65V
на замовлення 6272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC846BT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC846BT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC846BT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC846BT116 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)