BC846BWT1G ON-Semiconductor
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 65V 0.1A 150mW 100MHz BC846BWT1G ONS TBC846bw ONS
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC846BWT1G ON-Semiconductor
Description: ONSEMI - BC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC846BWT1G за ціною від 1.19 грн до 11.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC846BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC846BWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC846BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 378000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC846BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 378000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC846BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC846BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC846BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC846BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 8436 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC846BWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 113206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC846BWT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN |
на замовлення 241400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC846BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 76542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC846BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 76542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BC846BWT1G | Виробник : On Semiconductor |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |