BC846C (біполярний транзистор NPN) NXP

Виробник: Hottech
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
Монтаж: SMD

Виробник: Diotec
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 420
Монтаж: SMD

Виробник: LMSEMI
Transistor PNP; 800; 200mW, 65V; 100mA; 300MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC846CLT1G; BC846C-TP; BC846C LMSEMI TBC846c LMS
кількість в упаковці: 100 шт

Виробник: MOT-
Tranzystor NPN; 800; 310mW; 65V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Podobny do: EVBC846C-S1; BC846C SOT23(T/R) MOT TBC846c MOT
кількість в упаковці: 500 шт

Виробник: KINGTRONICS
Transistor NPN; Bipolar; 30V; 6V; 800; 100MHz; 100mA; 200mW; -55°C~150°C; BC846C-TP; BC846C-LGE; BC846C SOT23 KINGTRONICS TBC846C Kt
кількість в упаковці: 3000 шт

Виробник: YFW
Transistor NPN; Bipolar; 30V; 6V; 800; 100MHz; 100mA; 200mW; -55°C~150°C; BC846C SOT23 YFW TBC846C YFW
кількість в упаковці: 3000 шт

Виробник: DIOTEC
Transistor NPN; 800; 250mW; 65V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC846C-DIO BC846C DIOTEC TBC846c DIOTEC
кількість в упаковці: 3000 шт

Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz

Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz

Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 65V, 100mA, NPN

Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC846C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC846C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW

Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

Виробник: Diotec Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 420/800 @ 2, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт