BC846S DIOTEC
Виробник: DIOTEC
Tranzystor 2xNPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846S-DIO; BC846S/DG/B2115; BC846S/DG/B3X; BC846S/DG/B4X; BC846S TBC846s DIOTEC
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC846S DIOTEC
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC846S - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 250 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 110hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 250mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC846S за ціною від 1.96 грн до 17.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC846S | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 8940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846S | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846S | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 8867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846S | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846S | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC846S - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 250 mW tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846S | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT363 Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 8867 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846S | Виробник : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-363, 65V, 100mA, NPN |
на замовлення 9714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846S | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 8953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846S | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC846S - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 250 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 110hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 250mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846S | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC846S | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC846S | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BC846S | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BC846S | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |