BC847ALT1G ON Semiconductor
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847ALT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC847ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC847ALT1G за ціною від 0.74 грн до 10.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC847ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 65568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 28618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 110...220 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 6197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 28618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 110...220 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6197 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 90069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN |
на замовлення 39576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC847ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 92899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BC847ALT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC847A smd TBC847aкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 925 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| BC847ALT1G |
|
на замовлення 1800 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
| BC847ALT1G |
BC847ALT1G Транзисторы Bipolar |
на замовлення 103 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
| BC847ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; ft, МГц = 100; hFE = 110 @ 2 мA, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА; Р, Вт = 0,3; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |





