BC847AQBZ

BC847AQBZ Nexperia USA Inc.


BC847XQB_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 340 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.55 грн
10000+2.21 грн
15000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847AQBZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC847AQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 420 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847xQB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC847AQBZ за ціною від 2.69 грн до 31.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC847AQBZ BC847AQBZ Виробник : Nexperia bc847xqb_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 28116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6212+5.21 грн
10000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 6212
В кошику  од. на суму  грн.
BC847AQBZ BC847AQBZ Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0009581597-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC847AQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 420 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847xQB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.92 грн
500+9.16 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC847AQBZ BC847AQBZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC847XQB_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 340 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.15 грн
38+8.10 грн
100+5.03 грн
500+3.45 грн
1000+3.04 грн
2000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC847AQBZ BC847AQBZ Виробник : Nexperia BC847XQB_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 9864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.66 грн
27+12.05 грн
100+7.83 грн
500+7.06 грн
5000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BC847AQBZ BC847AQBZ Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0009581597-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC847AQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 420 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847xQB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+31.96 грн
56+14.68 грн
100+10.92 грн
500+9.16 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.