BC847AQC-QZ

BC847AQC-QZ NEXPERIA


BC847XQC-Q_SER.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847xQC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.96 грн
1000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847AQC-QZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BC847AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847xQC-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC847AQC-QZ за ціною від 2.05 грн до 20.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC847AQC-QZ BC847AQC-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC847XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.15 грн
25+ 11.35 грн
100+ 5.56 грн
500+ 4.35 грн
1000+ 3.03 грн
2000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
BC847AQC-QZ BC847AQC-QZ Виробник : Nexperia BC847XQC_Q_SER-2498574.pdf Bipolar Transistors - BJT BC847AQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
на замовлення 13528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+18.65 грн
25+ 12.61 грн
100+ 4.49 грн
1000+ 2.71 грн
5000+ 2.64 грн
10000+ 2.18 грн
25000+ 2.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
BC847AQC-QZ BC847AQC-QZ Виробник : NEXPERIA BC847XQC-Q_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC847AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847xQC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+20.6 грн
54+ 13.93 грн
135+ 5.49 грн
500+ 3.96 грн
1000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 36
BC847AQC-QZ Виробник : NEXPERIA bc847xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 450mW Automotive 3-Pin DFN-D T/R
товар відсутній
BC847AQC-QZ BC847AQC-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC847XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній