BC847BDW1T1G

BC847BDW1T1G ON Semiconductor


bc846bdw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1278000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10205+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 10205
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BDW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 450hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung, PNP: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC847BDW1T1G за ціною від 1.33 грн до 16.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1278000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.39 грн
6000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6881+1.84 грн
9000+1.73 грн
27000+1.67 грн
51000+1.59 грн
102000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 6881
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5034+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 5034
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : onsemi bc846bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.63 грн
6000+2.26 грн
9000+2.12 грн
15000+1.84 грн
21000+1.75 грн
30000+1.67 грн
75000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.90 грн
6000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : ONSEMI 2118315.pdf Description: ONSEMI - BC847BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 450hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.80 грн
1500+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7463+4.24 грн
10000+3.78 грн
100000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 7463
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7463+4.24 грн
10000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 7463
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2907+4.35 грн
3624+3.49 грн
4179+3.03 грн
6250+1.95 грн
6788+1.66 грн
15000+1.46 грн
30000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 2907
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : ONSEMI BC84xXDW1Tx.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 5722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.27 грн
97+4.33 грн
140+2.98 грн
166+2.52 грн
500+1.78 грн
1000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : ONSEMI BC84xXDW1Tx.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5722 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
43+7.52 грн
58+5.39 грн
84+3.57 грн
100+3.02 грн
500+2.14 грн
1000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 31927
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1525+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 1525
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+11.50 грн
113+6.41 грн
114+6.35 грн
149+4.68 грн
250+4.16 грн
500+3.20 грн
1000+2.78 грн
3000+1.86 грн
6000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : onsemi bc846bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 119841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.96 грн
43+7.82 грн
100+4.82 грн
500+3.29 грн
1000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : ONSEMI 2118315.pdf Description: ONSEMI - BC847BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 450hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+14.24 грн
113+7.99 грн
171+5.25 грн
500+3.80 грн
1500+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G Виробник : onsemi BC846BDW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+16.02 грн
36+10.47 грн
100+5.75 грн
500+3.67 грн
1000+3.19 грн
3000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G Виробник : ON-Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive BC847BDW1T3G BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G TBC847bdw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; hFE = 200 @ 2 мА, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА; Р, Вт = 0,38 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; 2 NPN (здвоєний); SOT-363
на замовлення 41 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.