Продукція > ONSEMI > BC847BDW1T3G

BC847BDW1T3G onsemi


BC846BDW1T1-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 10000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BDW1T3G onsemi

Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.

Інші пропозиції BC847BDW1T3G за ціною від 1.63 грн до 15.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+2.29 грн
341+2.26 грн
347+2.22 грн
353+2.10 грн
358+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G onsemi BC846BDW1T1-D.PDF Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.26 грн
39+7.73 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.86 грн
2000+2.53 грн
5000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G onsemi BC846BDW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 23257 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
22+14.06 грн
36+8.59 грн
100+4.66 грн
500+3.40 грн
1000+2.59 грн
5000+2.22 грн
10000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.54 грн
81+9.49 грн
132+5.83 грн
500+4.14 грн
1000+3.01 грн
2000+2.75 грн
5000+2.32 грн
10000+1.70 грн
20000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G ONSEMI 2118315.pdf Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 9842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G ONSEMI 2118315.pdf Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 9842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G bc846bdw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
335+2.29 грн
341+2.26 грн
347+2.22 грн
353+2.10 грн
358+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC846BDW1T1-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.26 грн
39+7.73 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.86 грн
2000+2.53 грн
5000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC846BDW1T1-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 23257 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.06 грн
36+8.59 грн
100+4.66 грн
500+3.40 грн
1000+2.59 грн
5000+2.22 грн
10000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G bc846bdw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+15.54 грн
81+9.49 грн
132+5.83 грн
500+4.14 грн
1000+3.01 грн
2000+2.75 грн
5000+2.32 грн
10000+1.70 грн
20000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G 2118315.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 9842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G bc846bdw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G 2118315.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 9842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.