BC847BDW1T3G

BC847BDW1T3G ON Semiconductor


bc846bdw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 140000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.65 грн
20000+1.55 грн
30000+1.47 грн
50000+1.33 грн
70000+1.18 грн
100000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BDW1T3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC847BDW1T3G за ціною від 1.16 грн до 14.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.76 грн
20000+1.65 грн
30000+1.57 грн
50000+1.42 грн
70000+1.26 грн
100000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.78 грн
20000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16305+1.89 грн
100000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 16305
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 23308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16305+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 16305
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : onsemi bc846bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ONSEMI 2118315.pdf Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.40 грн
1000+2.96 грн
5000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : onsemi bc846bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 16326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.36 грн
43+7.54 грн
100+4.65 грн
500+3.17 грн
1000+2.79 грн
2000+2.46 грн
5000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : onsemi BC846BDW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 10967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.78 грн
44+8.06 грн
100+4.34 грн
500+3.28 грн
1000+2.59 грн
2500+2.44 грн
5000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+14.58 грн
75+9.43 грн
87+8.12 грн
122+5.61 грн
250+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ONSEMI 2118315.pdf Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+14.70 грн
96+8.97 грн
250+5.40 грн
1000+2.96 грн
5000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.