Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC847BDW1T3G
BC847BDW1T3G

BC847BDW1T3G ON Semiconductor

bc846bdw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.72 грн
20000+1.60 грн
30000+1.55 грн
50000+1.41 грн
70000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BDW1T3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC847BDW1T3G за ціною від 1.63 грн до 16.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.86 грн
20000+1.64 грн
30000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16305+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 16305
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 23308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16305+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 16305
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ONSEMI 2118315.pdf Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.56 грн
250+5.15 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : onsemi bc846bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.58 грн
41+7.49 грн
100+4.66 грн
500+3.18 грн
1000+2.79 грн
2000+2.47 грн
5000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : onsemi bc846bdw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 6956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.29 грн
40+8.12 грн
100+4.40 грн
500+3.21 грн
1000+2.45 грн
5000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ONSEMI 2118315.pdf Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+14.02 грн
96+8.56 грн
250+5.15 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+15.80 грн
75+9.89 грн
94+7.92 грн
122+5.88 грн
250+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+16.65 грн
89+8.39 грн
122+6.11 грн
500+4.43 грн
1000+3.22 грн
2000+2.93 грн
5000+2.47 грн
10000+2.12 грн
20000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc846bdw1t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G Виробник : On Semiconductor BC846BDW1T1-D.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Виробник : onsemi bc846bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.