на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 7.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BFA-7B Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BC847BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 435mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 170MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC847BFA-7B за ціною від 5.56 грн до 40.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC847BFA-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 170MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC847BFA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0806-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 435 mW |
на замовлення 11105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC847BFA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 45V NPN SM Trans 435mW 100mA |
на замовлення 4851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC847BFA-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 170MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC847BFA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0806-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 435 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BC847BFA-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 435mW; X2-DFN0806-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 435mW Case: X2-DFN0806-3 Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 200...470 Mounting: SMD Quantity in set/package: 10000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 100...170MHz |
товару немає в наявності |



