BC847BFA-7B

BC847BFA-7B Diodes Zetex


1025843081816637bc847bfa.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 170000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BFA-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC847BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 435mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 170MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції BC847BFA-7B за ціною від 5.95 грн до 40.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC847BFA-7B BC847BFA-7B Виробник : Diodes Incorporated BC847BFA.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0806-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.68 грн
30000+6.33 грн
50000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BFA-7B BC847BFA-7B Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0000449558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 170MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.34 грн
500+11.34 грн
1000+8.35 грн
5000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BFA-7B BC847BFA-7B Виробник : Diodes Incorporated BC847BFA.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0806-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
на замовлення 78025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.65 грн
15+21.46 грн
100+12.86 грн
500+11.17 грн
1000+7.60 грн
2000+6.99 грн
5000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BFA-7B BC847BFA-7B Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0000449558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 170MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.49 грн
33+25.09 грн
100+16.34 грн
500+11.34 грн
1000+8.35 грн
5000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BFA-7B BC847BFA-7B Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0000449558_1-2541761.pdf Bipolar Transistors - BJT 45V NPN SM Trans 435mW 100mA
на замовлення 7789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.00 грн
14+25.89 грн
100+14.49 грн
500+10.81 грн
1000+8.68 грн
2500+8.46 грн
5000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BFA-7B BC847BFA-7B Виробник : Diodes Inc 1025843081816637bc847bfa.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BFA-7B Виробник : DIODES INCORPORATED BC847BFA.pdf BC847BFA-7B NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.