BC847BFZ-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 8.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BFZ-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 925mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0606, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC847BFZ-7B за ціною від 8.64 грн до 51.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC847BFZ-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847BFZ-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 925mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0606-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 435 mW |
на замовлення 11404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847BFZ-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN SS Trans 435mW 45Vceo 0.435W 125mV |
на замовлення 8738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 925mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |