BC847BFZ-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 9.66 грн |
| 20000+ | 8.62 грн |
| 30000+ | 8.27 грн |
| 50000+ | 7.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BFZ-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 925mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: X2-DFN0606, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC847BFZ-7B за ціною від 9.34 грн до 48.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC847BFZ-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0606-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 435 mW |
на замовлення 61199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC847BFZ-7B | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN SS Trans 435mW 45Vceo 0.435W 125mV |
на замовлення 8068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
BC847BFZ-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 925mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BC847BFZ-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 925mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC847BFZ-7B |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 10.93 грн |
| BC847BFZ-7B |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 12.25 грн |
| BC847BFZ-7B |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 12.25 грн |
| BC847BFZ-7B |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 12.25 грн |
| BC847BFZ-7B |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 12.25 грн |
| BC847BFZ-7B |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 12.25 грн |
| BC847BFZ-7B |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 12.25 грн |
| BC847BFZ-7B |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 12.25 грн |
| BC847BFZ-7B |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
на замовлення 61199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.71 грн |
| 11+ | 28.96 грн |
| 100+ | 18.59 грн |
| 500+ | 13.24 грн |
| 1000+ | 11.88 грн |
| 2000+ | 10.74 грн |
| 5000+ | 9.34 грн |
| BC847BFZ-7B |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN SS Trans 435mW 45Vceo 0.435W 125mV
Bipolar Transistors - BJT NPN SS Trans 435mW 45Vceo 0.435W 125mV
на замовлення 8068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC847BFZ-7B |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC847BFZ-7B |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)