Технічний опис BC847BL3E6327XTMA1 Infineon
Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-TSLP-3-1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 250 mW.
Інші пропозиції BC847BL3E6327XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BC847BL3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin TSLP T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BC847BL3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin TSLP T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BC847BL3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-TSLP-3-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|
 |
BC847BL3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR |
товару немає в наявності |