
на замовлення 4338000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 4.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BLP-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BC847BLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції BC847BLP-7 за ціною від 3.90 грн до 30.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BC847BLP-7 Код товару: 175789
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 4293000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 4293000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 4293000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 4293000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 4890000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BC847BLP-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BC847BLP-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 383872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 4892639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
BC847BLP-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 1W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 1W Case: X1-DFN1006-3 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Quantity in set/package: 3000pcs. Pulsed collector current: 0.2A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
BC847BLP-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 1W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 1W Case: X1-DFN1006-3 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Quantity in set/package: 3000pcs. Pulsed collector current: 0.2A |
товару немає в наявності |