на замовлення 4908000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BLP-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BC847BLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC847BLP-7 за ціною від 3.5 грн до 27.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 5508000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLP-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 5513340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 250mW 45V |
на замовлення 409730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLP-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLP-7 Код товару: 175789 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin X1-DFN T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin X1-DFN T/R |
товар відсутній |