Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BC847BLP-7 за ціною від 4.68 грн до 33.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 45V 0.1A X1-DFN1006-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 363000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC847BLP-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A X1-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 364298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC847BLP-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 250mW 45V |
на замовлення 211272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC847BLP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BC847BLP-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 1W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 1W Case: X1-DFN1006-3 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 0.2A Quantity in set/package: 3000pcs. |
товару немає в наявності |