BC847BLP4-7B

BC847BLP4-7B DIODES INC.


DIOD-S-A0013043600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC847BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.12 грн
500+14.90 грн
1000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BLP4-7B DIODES INC.

Description: DIODES INC. - BC847BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC847BLP4-7B за ціною від 7.47 грн до 53.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC847BLP4-7B BC847BLP4-7B Виробник : Diodes Incorporated BC847BLP4.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 6374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.55 грн
13+27.15 грн
100+17.39 грн
500+12.35 грн
1000+11.07 грн
2000+9.99 грн
5000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BLP4-7B BC847BLP4-7B Виробник : Diodes Incorporated BC847BLP4.pdf Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
на замовлення 7823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.24 грн
12+30.61 грн
100+17.00 грн
500+12.95 грн
1000+10.49 грн
5000+9.22 грн
10000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BLP4-7B BC847BLP4-7B Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013043600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+53.57 грн
27+33.07 грн
100+21.12 грн
500+14.90 грн
1000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BLP4-7B Виробник : Diodes Zetex ds31297.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BLP4-7B Виробник : Diodes Inc 40196227384620736ds31297.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-H4 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BLP4-7B Виробник : Diodes Zetex ds31297.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BLP4-7B BC847BLP4-7B Виробник : Diodes Incorporated BC847BLP4.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.