BC847BLP4-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 9.06 грн |
| 20000+ | 8.07 грн |
| 30000+ | 7.74 грн |
| 50000+ | 6.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BLP4-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - BC847BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції BC847BLP4-7B за ціною від 7.65 грн до 46.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC847BLP4-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BLP4-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847BLP4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K |
на замовлення 26424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847BLP4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 177878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC847BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-H4 T/R |
на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC847BLP4-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-H4 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| BC847BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-H4 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| BC847BLP4-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 1W; X2-DFN1006-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 1W Case: X2-DFN1006-3 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Quantity in set/package: 10000pcs. Pulsed collector current: 0.2A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| BC847BLP4-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 1W; X2-DFN1006-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 1W Case: X2-DFN1006-3 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Quantity in set/package: 10000pcs. Pulsed collector current: 0.2A |
товару немає в наявності |